この記事は、「 高校数学でわかる半導体の原理 電子の動きを知って理解しよう 竹内 淳 著 講談社」を参考にさせて頂いています。
バイポーラトランジスタの記事(バイポーラトランジスタ)で解説しもしたが、トランジスタには何種類かあります。ディスクリート品ではバイポーラトランジスタが主流ですが、DRAMやフラッシュメモリーなどのメモリー半導体や、ロジック半導体では動作の最小単位となるトランジスタはMOSトランジスタになるので、これについて説明したいと思います。
PMOSとNMOS
MOSトランジスタには、PMOSとNMONがあります。その構造について簡単に示します。
ソース電極とドレイン電極は、
P型電極 : Pチャネル型MOS(PMOS)
N型電極 : Nチャネル型MOS(NMOS)
となります。
Junction型FET(接合型FET)
MOSトランジスタは、電界効果型FET(Field Effective Transistor)の一つのMOSトランジスタですが、もうひとつ別のFETがあります。それがJunction型FET(接合型FET)です。
このデバイスでも、MOSFETと同じく、
ソース電極とドレイン電極は、
P型電極 : Pチャネル型MOS(PMOS)
N型電極 : Nチャネル型MOS(NMOS)
となります。
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